規(guī)格:DG42N , DS42N 等
單位:
瀏覽次數(shù):3394
性能標(biāo)簽:
太陽能行業(yè)晶體生長用DIAS紅外測溫儀 ,
要生產(chǎn)晶圓,例如要生產(chǎn)太陽能晶圓產(chǎn)品,晶體需要從所謂的晶體生長爐(單晶爐、多晶爐)內(nèi)的熔液拉出。
從熔液形成的晶體生長由晶體化的熔液慢慢冷卻形成的。因此,測量熔液的溫度很重要,同樣,測量加熱元件的溫度以準(zhǔn)確控制過程也很重要。這二個(gè)溫度需要協(xié)調(diào)好,以確保晶體生長的優(yōu)化。
德國DIAS紅外測溫10系列、40系列、42系列、44系列適合這些晶體生長的測溫。主要可用的型號(hào)有DS40N、DS44N、DG42N、DS42N,測溫范圍為350~2500°C,均為短波紅外測溫儀。根據(jù)晶體生長系統(tǒng)的型號(hào),也可以使用DSR10N、DSR44N雙色紅外測溫儀。44系列、10系列還可以兼容總線系統(tǒng),易于集成到現(xiàn)有控制系統(tǒng)中去。
在空間比較狹小的地方,推薦使用光纖紅外測溫儀。比如可以使用DSF40N及DSF44N系列,測溫范圍600 ~ 1800 °C ,最小探頭光圈僅僅12 mm。此外,還可以選擇直角鏡或彎曲的光纖電纜。測量光斑僅僅幾個(gè)毫米直徑。從而,對(duì)這些溫度測量任務(wù),選擇最優(yōu)的紅外測溫儀光學(xué)系數(shù),可以觀測和控制這些晶體生長過程。
更多信息:
本網(wǎng)站資料大多是準(zhǔn)確的,最新產(chǎn)品資料以產(chǎn)品說明書和操作手冊為準(zhǔn)。產(chǎn)品圖片可能與實(shí)際有差別,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)。