了解一下半導(dǎo)體行業(yè)及基礎(chǔ)知識
去年的中訊通信和今年的華為被美國制裁事件，這2家主導(dǎo)的產(chǎn)品都集中在半導(dǎo)體行業(yè)。我們這里談?wù)劙雽?dǎo)體行業(yè)的一些基礎(chǔ)知識，讓大家了解了解半導(dǎo)體這個行業(yè)。我們要了解一下芯片是什么？目前的市場格局如何？相關(guān)的上市公司有哪些？
一、芯片是什么？
要了解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，首先得知道什么是芯片。芯片是指含有集成電路（IC）的硅片。
一個芯片是這樣被生產(chǎn)出來的：
自然界中存在有含硅的石頭或原材料，這些石頭或原材料通過一個類似洗衣機的機器，經(jīng)過離心力和化學(xué)反應(yīng)提純就成了單晶硅棒。單晶硅棒一般是圓柱體形狀的，太厚了，再通過切割工藝切成薄薄的圓片，就是晶圓。最后在晶圓上集成電路，就是芯片了。
芯片所在的半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈分為三大塊：上游是半導(dǎo)體原材料；中游包括芯片集成電路的IC設(shè)計、制造、封測三大環(huán)節(jié)，屬于核心環(huán)節(jié)；下游是各類市場需求，包括終端電子產(chǎn)品，包括手機、汽車、通訊設(shè)備等。中興通訊的智能手機業(yè)務(wù)屬于半導(dǎo)體行業(yè)的下游。
半導(dǎo)體設(shè)備是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備是薄弱環(huán)節(jié)。有一種半導(dǎo)體設(shè)備叫做光刻機，目前被荷蘭ASML公司壟斷，在EUV光刻機領(lǐng)域更是處于絕對壟斷地位，市占率為100%，基本呈現(xiàn)獨家供貨的狀態(tài)。國內(nèi)的中芯國際也是ASML客戶。
二、中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速增長，與國際水平仍有差距
過去十年左右，在電子產(chǎn)業(yè)鏈國際分工中，由于人口紅利的優(yōu)勢，中國大陸主要承擔(dān)電子終端的封裝測試，在封裝環(huán)節(jié)有一定優(yōu)勢。隨著近年技術(shù)差距的縮小以及資金、人才的持續(xù)投入，中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由封測主導(dǎo)向芯片設(shè)計、芯片制造以及材料、設(shè)備全面發(fā)展。
在此基礎(chǔ)上，中國大陸的一些公司已取得一定成就：
IC設(shè)計方面，華為海思設(shè)計水平位于全國首位，全球前十；IC制造方面，中芯國際集成電路的制造工藝在國內(nèi)處于第一位，與世界水平相比還有比較大的差距；IC封裝方面，長電科技在收購星科金朋后，封裝測試能力總規(guī)模位列世界前三。
但與歐美日韓相比，還有很大差距。據(jù)中泰證券研究所，過去的數(shù)十年里，歐美日韓主導(dǎo)著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局，2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)市占份額來看，歐美日韓分別占9%、50%、11%、17%，中國大陸僅占4%。
根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會統(tǒng)計數(shù)據(jù)，從2013年起，中國集成電路（IC）進(jìn)口額連續(xù)四年超過2000 億美元，2016年中國集成電路進(jìn)口額為2271億美元， 出口額僅為613.8億美元。
從全球半導(dǎo)體行業(yè)龍頭公司的比例分布，也可以看出不少差距：
三、政策支持下，這些公司迎來機遇
半導(dǎo)體行業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，是國家實力的象征，國產(chǎn)替代化的趨勢是不可逆的。在中興被制裁后，人民日報發(fā)表評論員文章《中國將不計成本加大芯片投資》，未來政策支持力度有望加強。
目前我國對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的政策支持文件有：《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》及《中國制造2025》。《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》給予了IC產(chǎn)業(yè)相應(yīng)的政策支持、財稅優(yōu)惠， 設(shè)立了大基金。 《中國制造2025》強調(diào)，最終在市場終端打造集IC設(shè)計、IC制造、半導(dǎo)體材料與設(shè)備、IP 與設(shè)計工具四者為一體的國際綜合品牌的目標(biāo)。 其中“加強海外并購”被納入政府政策支持項目。
四、中國大陸晶圓8寸、12寸公司
中國大陸晶圓8寸及12寸廠分布、產(chǎn)能及生產(chǎn)項目
五、主要上市公司 ：
六、德國DIAS紅外測溫儀在全球及中國半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用型號
6.1 單晶硅用的紅外測溫儀DG42N(350~1800°C)
6.2 高溫材料用雙色紅外測溫儀DSR55NV(900~3000°C)、DSR56NV(900~3000° C)
6.3 低溫材料用DGE44N(75~650°C)、DGE10N(100~1200°C)
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